ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MT40A1G8WE-083E AAT:B
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Micron Technology Inc. - MT40A1G8WE-083E AAT:B คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Micron Technology Inc. - MT40A1G8WE-083E AAT:B
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Micron Technology | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.14V ~ 1.26V | |
| เทคโนโลยี | SDRAM - DDR4 | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 78-FBGA (8x12) | |
| ชุด | Automotive, AEC-Q100 | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 78-TFBGA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 105°C (TC) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 8Gbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 1G x 8 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | DRAM | |
| ความถี่นาฬิกา | 1.2 GHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MT40A1G8 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0036 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Micron Technology Inc. MT40A1G8WE-083E AAT:B
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MT40A1G8WE-083E AAT:B | MT40A1G8SA-075:E | MT40A1G8SA-075:H | MT40A1G8WE-075E:D |
| ผู้ผลิต | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MT40A1G8 | MT40A1G8 | MT40A1G8 | MT40A1G8 |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | - | - | - | - |
| ชุด | Automotive, AEC-Q100 | - | - | - |
| เทคโนโลยี | SDRAM - DDR4 | SDRAM - DDR4 | SDRAM - DDR4 | SDRAM - DDR4 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 78-TFBGA | 78-TFBGA | 78-TFBGA | 78-TFBGA |
| ความถี่นาฬิกา | 1.2 GHz | 1.33 GHz | 1.33 GHz | 1.33 GHz |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tray | Tray | Tray | Tray |
| รูปแบบหน่วยความจำ | DRAM | DRAM | DRAM | DRAM |
| ขนาดหน่วยความจำ | 8Gbit | 8Gbit | 8Gbit | 8Gbit |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 78-FBGA (8x12) | 78-FBGA (7.5x11) | 78-FBGA (7.5x11) | 78-FBGA (8x12) |
| ประเภทหน่วยความจำ | Volatile | Volatile | Volatile | Volatile |
| องค์กรหน่วยความจำ | 1G x 8 | 1G x 8 | 1G x 8 | 1G x 8 |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.14V ~ 1.26V | 1.14V ~ 1.26V | 1.14V ~ 1.26V | 1.14V ~ 1.26V |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | Parallel | Parallel | Parallel | Parallel |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 105°C (TC) | 0°C ~ 95°C (TC) | 0°C ~ 95°C (TC) | 0°C ~ 95°C (TC) |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MT40A1G8WE-083E AAT:B PDF และเอกสาร Micron Technology Inc. สำหรับ MT40A1G8WE-083E AAT:B - Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-083EBMICROCH
MT40A1G8WE-083EMicronMT40A1G8SA-075:EMicron Technology Inc.IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGAMT40A1G8WE-075EIT:BMicronMT40A1G8SA-075:HMicron Technology Inc.IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGAMT40A1G8SA-075EMicron TechnologyMT40A256M16GE-062EIT:BMicron TechnologyMT40A1G8WE-075E:DMicron Technology Inc.IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGAMT40A1G8WE-083E IT:BMicron TechnologyMT40A1G8WE-083E:BMicron TechnologyMT40A256M16GE-075EMicron
MT40A256M16GE-062E IT:BMicron Technology Inc.IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGAMT40A1G8SA-062EIT:EMicron TechnologyMT40A1G8WE-083EAAT:BMicron TechnologyMT40A1G8SA-062EJMicron TechnologyMT40A1G8WE-083EIT:BMicron TechnologyMT40A256M16GE-062E:BMicron Technology Inc.IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGAMT40A1G8WE-075E:BMicron Technology Inc.IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที